RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
12
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
62
Rund um -121% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
12.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
9.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
2347
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link