RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
62
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
12.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
2635
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link