RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
62
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
2635
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link