RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3555
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link