RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Porównaj
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
4.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
73
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
4.7
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1021
1736
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-434.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link