RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
67
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
67
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1879
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link