RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
67
Около 64% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
67
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1879
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link