RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
67
En 64% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
16
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
67
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
1879
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link