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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Compara
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Puntuación global
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
4.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
73
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
4.7
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1021
1736
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
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