Comparación de la memoria RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Puntuación global

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

28 42

En 33% menor latencia

Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

12.8 10.9

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.0 7.1

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

12800 8500

En 1.51 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1066 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1668 2011

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns