Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

28 42

Intorno 33% latenza inferiore

Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

12.8 10.9

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

9.0 7.1

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

12800 8500

Intorno 1.51 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1066 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1668 2011

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns