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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
45
Intorno -7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.8
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
45
42
Velocità di lettura, GB/s
12.3
12.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2011
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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