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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
45
Intorno -67% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.3
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
8.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
45
27
Velocità di lettura, GB/s
12.3
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2221
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
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Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
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