RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
42
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.8
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
8500
Около 1.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
28
42
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
12.8
Скорость записи, Гб/сек
7.1
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
12800
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
2011
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link