Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Pontuação geral
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Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    28 left arrow 42
    Por volta de 33% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    12.8 left arrow 10.9
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.0 left arrow 7.1
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 8500
    Por volta de 1.51 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    28 left arrow 42
  • Velocidade de leitura, GB/s
    10.9 left arrow 12.8
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.1 left arrow 9.0
  • Largura de banda de memória, mbps
    8500 left arrow 12800
Other
  • Descrição
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1668 left arrow 2011
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