Comparaison de la RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Note globale

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

28 42

Autour de 33% latence réduite

Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

12.8 10.9

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

9.0 7.1

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

12800 8500

Autour de 1.51 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1066 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1668 2011

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns