Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation M424051 4GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Panram International Corporation M424051 4GB

Gesamtnote
star star star star star
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Gesamtnote
star star star star star
Panram International Corporation M424051 4GB

Panram International Corporation M424051 4GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    62 left arrow 97
    Rund um 36% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 11.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.5 left arrow 1,843.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 6400
    Rund um 3 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    62 left arrow 97
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,556.6 left arrow 11.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,843.6 left arrow 5.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    542 left arrow 1270
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche