RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Panram International Corporation M424051 4GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Panram International Corporation M424051 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
62
97
Autour de 36% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Panram International Corporation M424051 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.5
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
97
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
11.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
5.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
1270
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-8GBZH 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link