RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
62
Rund um -72% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
10.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
2466
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link