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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Confronto
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
62
Intorno -72% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
1,843.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
36
Velocità di lettura, GB/s
3,556.6
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,843.6
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
542
2466
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Confronto tra le RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
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