RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
45
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.6
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.7
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
32
Velocità di lettura, GB/s
11.9
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
14.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2077
3393
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link