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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
45
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.6
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
32
读取速度,GB/s
11.9
20.6
写入速度,GB/s
8.1
14.7
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3393
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
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