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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
45
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.6
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
32
读取速度,GB/s
11.9
20.6
写入速度,GB/s
8.1
14.7
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3393
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
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