RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
62
73
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
8.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
1822
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link