RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
62
73
Около 15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.4
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
73
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
15.8
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
1822
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link