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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Vergleichen Sie
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB vs Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Gesamtnote
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Gesamtnote
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
14
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
37
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR5
Latenzzeit in PassMark, ns
37
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
12.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
no data / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2808
3335
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
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