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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Confronto
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB vs Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Punteggio complessivo
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
12.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
37
Intorno -32% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR5
Latenza in PassMark, ns
37
28
Velocità di lettura, GB/s
16.0
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.6
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
no data / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2808
3335
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
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