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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
13.0
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
2735
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OCZ OCZ2RPR10662G 2GB
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