RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs OCZ OCZ2RPR10662G 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs OCZ OCZ2RPR10662G 2GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

24 56

Rund um 57% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 6400

Rund um 3% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
OCZ OCZ2RPR10662G 2GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

6 16

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

3,050.6 12.5

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

OCZ OCZ2RPR10662G 2GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2925 1144

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns