Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
OCZ OCZ2RPR10662G 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs OCZ OCZ2RPR10662G 2GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Pontuação geral
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OCZ OCZ2RPR10662G 2GB

OCZ OCZ2RPR10662G 2GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    24 left arrow 56
    Por volta de 57% menor latência
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 6400
    Por volta de 3% maior largura de banda
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    6 left arrow 16
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    3,050.6 left arrow 12.5
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
OCZ OCZ2RPR10662G 2GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR2
  • Latência em PassMark, ns
    24 left arrow 56
  • Velocidade de leitura, GB/s
    16.0 left arrow 6,064.4
  • Velocidade de escrita, GB/s
    12.5 left arrow 3,050.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 6400
Other
  • Descrição
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Tempos / Velocidade do relógio
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2925 left arrow 1144
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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