RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
OCZ OCZ2RPR10662G 2GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs OCZ OCZ2RPR10662G 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
OCZ OCZ2RPR10662G 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
56
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
OCZ OCZ2RPR10662G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
3,050.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
OCZ OCZ2RPR10662G 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
24
56
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
6,064.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
3,050.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
6400
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1144
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
OCZ OCZ2RPR10662G 2GB Porównanie pamięci RAM
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OCZ OCZ2RPR10662G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link