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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
OCZ OCZ2RPR10662G 2GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs OCZ OCZ2RPR10662G 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
OCZ OCZ2RPR10662G 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
56
En 57% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
OCZ OCZ2RPR10662G 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
3,050.6
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
OCZ OCZ2RPR10662G 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR2
Latencia en PassMark, ns
24
56
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
6,064.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
3,050.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
1144
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
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Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
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Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
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