RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
OCZ OCZ2RPR10662G 2GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs OCZ OCZ2RPR10662G 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
OCZ OCZ2RPR10662G 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
56
Intorno 57% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
OCZ OCZ2RPR10662G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
6
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
3,050.6
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
OCZ OCZ2RPR10662G 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR2
Latenza in PassMark, ns
24
56
Velocità di lettura, GB/s
16.0
6,064.4
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
3,050.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
6400
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
1144
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
OCZ OCZ2RPR10662G 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPK 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link