RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Comparar
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
94
Por volta de 56% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.3
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
6.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
94
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
6.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2322
1390
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
AMD R534G1601U1S 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link