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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Compara
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Puntuación global
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
94
En 56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
6.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
94
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2322
1390
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
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Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
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Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
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