RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
39
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
15.0
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
3233
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link