RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
27
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
13.9
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
3417
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Inmos + 256MB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S13C9G 2GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link