Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Inmos + 256MB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Inmos + 256MB

Gesamtnote
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Gesamtnote
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Unterschiede

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    23 left arrow 30
    Rund um 23% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.4 left arrow 11.5
    Durchschnittswert bei den Tests
Inmos + 256MB Gründe für die Berücksichtigung
Inmos + 256MB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.1 left arrow 8.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    16800 left arrow 10600
    Rund um 1.58 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Inmos + 256MB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    23 left arrow 30
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.4 left arrow 11.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.0 left arrow 9.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 16800
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2269 left arrow 2318
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RAM 1
RAM 2

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