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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Inmos + 256MB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Inmos + 256MB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Inmos + 256MB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
30
左右 23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Inmos + 256MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
16800
10600
左右 1.58 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Inmos + 256MB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
30
读取速度,GB/s
13.4
11.5
写入速度,GB/s
8.0
9.1
内存带宽,mbps
10600
16800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
2269
2318
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Inmos + 256MB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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