Comparación de la memoria RAM Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Inmos + 256MB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Inmos + 256MB

Puntuación global

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

23 30

En 23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

13.4 11.5

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Inmos + 256MB

Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.1 8.0

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

16800 10600

En 1.58 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Inmos + 256MB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2269 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns