Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Inmos + 256MB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Inmos + 256MB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    23 left arrow 30
    Wokół strony 23% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.4 left arrow 11.5
    Średnia wartość w badaniach
Inmos + 256MB Powody do rozważenia
Inmos + 256MB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.1 left arrow 8.0
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    16800 left arrow 10600
    Wokół strony 1.58 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Inmos + 256MB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    23 left arrow 30
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.4 left arrow 11.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.0 left arrow 9.1
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 16800
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2269 left arrow 2318
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania