Porównanie pamięci RAM Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Inmos + 256MB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Inmos + 256MB

Wynik ogólny

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

23 30

Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

13.4 11.5

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Inmos + 256MB

Większa szybkość zapisu, GB/s

9.1 8.0

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

16800 10600

Wokół strony 1.58 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Inmos + 256MB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2269 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns