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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Inmos + 256MB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Inmos + 256MB
総合得点
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
総合得点
Inmos + 256MB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
30
周辺 23% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.4
11.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Inmos + 256MB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
9.1
8.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
16800
10600
周辺 1.58 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Inmos + 256MB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
23
30
読み出し速度、GB/s
13.4
11.5
書き込み速度、GB/秒
8.0
9.1
メモリ帯域幅、mbps
10600
16800
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2269
2318
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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