Comparação RAM Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Inmos + 256MB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Inmos + 256MB

Pontuação geral

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

23 30

Por volta de 23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

13.4 11.5

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Inmos + 256MB

Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

9.1 8.0

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

16800 10600

Por volta de 1.58 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Inmos + 256MB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2269 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns