RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
29
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
15.1
Speicherbandbreite, mbps
21300
25600
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
3467
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link