RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
11.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
16.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3467
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link