RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
33
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.2
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
2800
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link