RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
27
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.9
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
1870
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link