RAM-Vergleich Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

Gesamtnote

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

21 36

Rund um -71% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

17.6 15

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.2 10.3

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2569 3126

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns