RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
36
Por volta de -71% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
10.3
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
21
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
12.2
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
3126
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link