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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
36
En -71% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
10.3
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
21
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
3126
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
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