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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
36
左右 -71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
10.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
21
读取速度,GB/s
15.0
17.6
写入速度,GB/s
10.3
12.2
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
3126
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
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